存储与通用接口电路

1. TF 卡（microSD）电路

RV1126B 核心板集成了 1 个 SDMMC 控制器和 1 个 SDIO 控制器，二者均支持 SDIO 3.0 和 MMC V4.51 协议。4 线数据总线宽度支持 SDR104 模式，最高速度可达 200MHz。系统在 TF 卡插入后，会根据对应模式（SD2.0 或 SD3.0）自动进行协议转换和电压调整。

MicroSD 卡电路

信号名 (Signal Name)	连接方式 (Connection Method)	说明 (Description)
SDMMC0_D[3:0]	串联 22Ω 电阻 / 使用对应 IO 的内部上拉电阻	SD 数据收发
SDMMC0_CLK	串联 22Ω 电阻 / 下拉	SD 时钟发送
SDMMC0_CMD	串联 22Ω 电阻 / 使用对应 IO 的内部上拉电阻	SD 命令收发
SDMMC0_DET	串联 100Ω 电阻 / 使用对应 IO 的内部上拉电阻	SD 卡插入检测

💡 原理图设计注意事项

• SDMMC_CLK 已经在核心板（SoM）上串联了 22Ω 电阻，因此底板（载板）侧无需再额外添加。
• SDMMC_D[3:0]、SDMMC_CMD、SDMMC_CLK、SDMMC_DET 等信号需要在 TF 卡接口位置放置 ESD 保护器件。若支持 SD3.0 模式，ESD 器件的结电容需要 小于 1pF。若仅支持 SD2.0 模式，结电容要求可放宽至 9pF。
• SDMMC 与 JTAG 功能采用复用（多路复用/引脚共享）方式，因此在使用 SDMMC 功能时，需要通过 SDMMC_DET_L 引脚进行调整。该切换在启动时决定，系统启动后则交由系统控制。该引脚内部默认上拉，当 TF 卡插入后会被下拉为 Low 电平。

1.1 PCB 设计建议

所有保护器件都应尽可能靠近 TF 卡接口放置。

SDIO 走线（Routing）要求：

参数	SDIO 要求
走线阻抗	单端 50Ω ±10%
时钟与数据之间的等长走线	< 120mil
走线长度	< 4 英寸
SDIO 信号线之间的间距	不小于 SDIO 走线宽度的 2 倍

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2. USB3.0 Host 电路

RV1126B 共具备 2 组 USB 2.0 信号和 1 组 USB 3.0 信号。当前开发板采用的方案是：将 USB 2.0 DRD 作为固件烧录接口，并将 USB 2.0 HOST 与 USB 3.0 DRD 组合，形成 1 组 USB 3.0 HOST 接口。

USB 多路复用器

2.1 原理图设计建议

本开发中使用 USB3.0 集线器芯片（HUB IC）来扩展 USB3.0 端口。

原理图（或接线图）请参考如下内容。

USB3.0 集线器电路

信号	默认上拉/下拉	连接方法	说明
USB_HOST_DM / USB_HOST_DP	无	串联 0Ω 电阻	USB HS/FS/LS 模式的数据输入/输出
USB3_HOST_SSRX1N / USB3_HOST_SSRX1P	无	串联 0Ω 电阻	USB SS 模式的数据输入
USB3_HOST_SSTX1N / USB3_HOST_SSTX1P	无	串联 100nF 电容	USB SS 模式的数据输出

💡 原理图设计建议

• 为增强防静电和浪涌能力，请务必在信号线上预留放置 ESD 保护器件的封装位置。USB 2.0 信号的 ESD 寄生电容不应超过 3pF。
• 为抑制电磁辐射（EMI），可考虑在信号线上放置共模扼流圈。在调试过程中，可根据实际情况选择贴装电阻或共模扼流圈。
• 建议在 5V 电源上增加限流开关（Current Limit Switch）。限流值可根据应用需求进行调整。

2.2 PCB 设计建议

所有 ESD 保护器件都应尽可能靠近 USB 接口放置。USB 2.0 和 USB 3.0 的走线（Routing）要求如下。

表：USB 2.0 走线要求

参数	USB 2.0 走线要求
走线阻抗	差分 90Ω ±10%
差分对内最大延迟差（Skew）	< 20mil
走线长度	< 6 英寸
每个信号允许的过孔数	建议 4 个以内（最多 6 个）

表：USB 3.0 走线要求

参数	USB 3.0 走线要求
走线阻抗	差分 90Ω ±10%
差分对内最大延迟差（Skew）	< 6mil
走线长度	< 6 英寸
电容要求	100nF ±20%（建议使用 0201 封装）
差分对之间的间距	建议不小于 USB 走线宽度的 4 倍
USB 与其他信号线之间的间距	建议不小于 USB 走线宽度的 4 倍
每个信号允许的过孔数	建议 2 个以内
ESD 器件 I/O 对地电容	0.2pF 以下